K4ZAF325BM-HC14
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4ZAF325BM-HC14 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | GDDR6 SDRAM |
| IC-Code | 512MX32 GDDR6 |
| Andere Bezeichnungen | K4ZAF325BM-HC14000 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-180 |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.35V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+95 C |
| Geschwindigkeit | 14 GB/S |
| Standard Stückzahl | 1120 |
| Abmessungen Karton | |
| Bit Organization | x32 |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Generation | 1st Generation |
| Power | Normal Power |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4ZAF325BM-HC14 | 1.464 | Anfrage senden | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 351 | 19+ | Anfrage senden |
| K4ZAF325BM-HC14 | 432 | Anfrage senden | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 500 | 2021 | Anfrage senden |
| K4ZAF325BM-HC14 | 928 | 202107+ | Anfrage senden |
| K4ZAF325BM-HC14 | 3.360 | Anfrage senden | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 10.080 | 21+ | Anfrage senden |
| K4ZAF325BM-HC14000 | 22.400 | Anfrage senden | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 10.000 | DC2018+ | Anfrage senden |
| K4ZAF325BM-HC14 | 1.120 | 20+ | Anfrage senden |
Cross Reference
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| H56G42AS2DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| H56G42AS6DX014 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| H56G42AS6DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| K4ZAF325BM-HC18 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| MT61K512M32KPA-14:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| MT61K512M32KPA-14C ES:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |