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Hersteller-Nummer | K4ZAF325BM-HC18 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | GDDR6 SDRAM |
IC-Code | 512MX32 GDDR6 |
Gehäuse | FBGA-180 |
Verpackung | |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.35V |
Betriebstemperatur | 0 C~+95 C |
Geschwindigkeit | 14 GB/S |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Bit Organization | x32 |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 1st Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4ZAF325BM-HC18 | 10.000 | 22+ | Anfrage senden |
K4ZAF325BM-HC18 | 2.240 | 22+ | Anfrage senden |
K4ZAF325BM-HC18 | 10.000 | 21+ | Anfrage senden |
K4ZAF325BM-HC18 | 10.000 | Anfrage senden | |
K4ZAF325BM-HC18 | 6.720 | Anfrage senden | |
K4ZAF325BM-HC18 | 6.720 | 21+ | Anfrage senden |
K4ZAF325BM-HC18 | 10.000 | 20+ | Anfrage senden |
K4ZAF325BM-HC18 | 30.000 | Anfrage senden | |
K4ZAF325BM-HC18 | 10.080 | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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H56G42AS2DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
H56G42AS6DX014 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
H56G42AS6DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
K4ZAF325BM-HC14 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
K4ZAF325BM-HC14000 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
MT61K512M32KPA-14:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
MT61K512M32KPA-14C ES:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |