K4ZAF325BM-HC14

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4ZAF325BM-HC14
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie GDDR6 SDRAM
IC-Code 512MX32 GDDR6
Andere Bezeichnungen K4ZAF325BM-HC14000

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-180
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+95 C
Geschwindigkeit 14 GB/S
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Bit Organization x32
Internal Banks 16 Banks
Generation 1st Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4ZAF325BM-HC14 6.720 Anfrage senden
K4ZAF325BM-HC14 20.160 Anfrage senden
K4ZAF325BM-HC14 472 202119+ Anfrage senden
K4ZAF325BM-HC14000 0 DC21+ Anfrage senden
K4ZAF325BM-HC14000 0 21+ Anfrage senden
K4ZAF325BM-HC14 10.000 2021+ Anfrage senden
K4ZAF325BM-HC14 10.000 Anfrage senden
K4ZAF325BM-HC14 3.185 Anfrage senden
K4ZAF325BM-HC14 11.200 Anfrage senden
K4ZAF325BM-HC14 20.000 2021+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H56G42AS2DX014N FBGA-180 1.35V 14 GB/S 0 C~+95 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H56G42AS6DX014 FBGA-180 1.35V 14 GB/S 0 C~+95 C
H56G42AS6DX014N FBGA-180 1.35V 14 GB/S 0 C~+95 C
K4ZAF325BM-HC18 FBGA-180 1.35V 14 GB/S 0 C~+95 C
MT61K512M32KPA-14:B FBGA-180 1.35V 14 GB/S 0 C~+95 C
MT61K512M32KPA-14C ES:B FBGA-180 1.35V 14 GB/S 0 C~+95 C