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Hersteller-Nummer | K4ZAF325BM-HC14 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | GDDR6 SDRAM |
IC-Code | 512MX32 GDDR6 |
Andere Bezeichnungen | K4ZAF325BM-HC14000 |
Gehäuse | FBGA-180 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 1.35V |
Betriebstemperatur | 0 C~+95 C |
Geschwindigkeit | 14 GB/S |
Standard Stückzahl | 1120 |
Abmessungen Karton | |
Bit Organization | x32 |
Internal Banks | 16 Banks |
Generation | 1st Generation |
Power | Normal Power |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
---|---|---|---|
K4ZAF325BM-HC14 | 6.720 | Anfrage senden | |
K4ZAF325BM-HC14 | 20.160 | Anfrage senden | |
K4ZAF325BM-HC14 | 472 | 202119+ | Anfrage senden |
K4ZAF325BM-HC14000 | 0 | DC21+ | Anfrage senden |
K4ZAF325BM-HC14000 | 0 | 21+ | Anfrage senden |
K4ZAF325BM-HC14 | 10.000 | 2021+ | Anfrage senden |
K4ZAF325BM-HC14 | 10.000 | Anfrage senden | |
K4ZAF325BM-HC14 | 3.185 | Anfrage senden | |
K4ZAF325BM-HC14 | 11.200 | Anfrage senden | |
K4ZAF325BM-HC14 | 20.000 | 2021+ | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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H56G42AS2DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
---|---|---|---|---|
H56G42AS6DX014 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
H56G42AS6DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
K4ZAF325BM-HC18 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
MT61K512M32KPA-14:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
MT61K512M32KPA-14C ES:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |