K4ZAF325BM-HC14
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4ZAF325BM-HC14 |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | GDDR6 SDRAM |
| IC代码 | 512MX32 GDDR6 |
| 共通IC编号 | K4ZAF325BM-HC14000 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-180 |
| 外包装 | TRAY |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.35V |
| 温度规格 | 0 C~+95 C |
| 速度 | 14 GB/S |
| 标准包装数量 | 1120 |
| 标准外箱 | |
| Bit Organization | x32 |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Generation | 1st Generation |
| Power | Normal Power |
供应链有货
| IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
|---|---|---|---|
| K4ZAF325BM-HC14 | 4,480 | 索取报价 | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 6,720 | 索取报价 | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 20,160 | 索取报价 | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 472 | 202119+ | 索取报价 |
| K4ZAF325BM-HC14000 | 0 | DC21+ | 索取报价 |
| K4ZAF325BM-HC14000 | 0 | 21+ | 索取报价 |
| K4ZAF325BM-HC14 | 10,000 | 2021+ | 索取报价 |
| K4ZAF325BM-HC14 | 10,000 | 索取报价 | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 3,185 | 索取报价 | |
| K4ZAF325BM-HC14 | 11,200 | 索取报价 |
可替代IC编号
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H56G42AS2DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| H56G42AS6DX014 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| H56G42AS6DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| K4ZAF325BM-HC18 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| MT61K512M32KPA-14:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| MT61K512M32KPA-14C ES:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |