K4ZAF325BM-HC18

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號	K4ZAF325BM-HC18
廠牌	SAMSUNG/三星
IC 類別	GDDR6 SDRAM
IC代碼	512MX32 GDDR6

產品詳情

脚位/封装	FBGA-180
外包裝
無鉛/環保	無鉛/環保
電壓(伏)	1.35V
溫度規格	0 C~+95 C
速度	14 GB/S
標準包裝數量
標準外箱
Bit Organization	x32
Internal Banks	16 Banks
Generation	1st Generation
Power	Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號	數量	生產年份
K4ZAF325BM-HC18	10,000	22+	索取報價
K4ZAF325BM-HC18	2,240	22+	索取報價
K4ZAF325BM-HC18	10,000	21+	索取報價
K4ZAF325BM-HC18	10,000		索取報價
K4ZAF325BM-HC18	6,720		索取報價
K4ZAF325BM-HC18	6,720	21+	索取報價
K4ZAF325BM-HC18	10,000	20+	索取報價
K4ZAF325BM-HC18	30,000		索取報價
K4ZAF325BM-HC18	10,080		索取報價

FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)

IC 編號	脚位/封装	電壓(伏)	速度	溫度規格
H56G42AS2DX014N	FBGA-180	1.35V	14 GB/S	0 C~+95 C
H56G42AS6DX014	FBGA-180	1.35V	14 GB/S	0 C~+95 C
H56G42AS6DX014N	FBGA-180	1.35V	14 GB/S	0 C~+95 C
K4ZAF325BM-HC14	FBGA-180	1.35V	14 GB/S	0 C~+95 C
K4ZAF325BM-HC14000	FBGA-180	1.35V	14 GB/S	0 C~+95 C
MT61K512M32KPA-14:B	FBGA-180	1.35V	14 GB/S	0 C~+95 C
MT61K512M32KPA-14C ES:B	FBGA-180	1.35V	14 GB/S	0 C~+95 C