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| IC 編號 | 生產年份 | 數量 | |
|---|---|---|---|
| K4ZAF325BM-HC18 | 5,000 | 輸入報價 |
K4ZAF325BM-HC18
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4ZAF325BM-HC18 |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | GDDR6 SDRAM |
| IC代碼 | 512MX32 GDDR6 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-180 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.35V |
| 溫度規格 | 0 C~+95 C |
| 速度 | 14 GB/S |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Bit Organization | x32 |
| Internal Banks | 16 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 1st Generation |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| H56G42AS2DX014 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| H56G42AS2DX014N | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| K4ZAF325BM-HC14 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| K4ZAF325BM-HC14000 | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| MT61K512M32KPA-14:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |
| MT61K512M32KPA-14C ES:B | FBGA-180 | 1.35V | 14 GB/S | 0 C~+95 C |