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Hersteller-Nummer | K9F2G08U0D-5IB0 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | FLASH-NAND |
IC-Code | 256MX8 NAND SLC |
Andere Bezeichnungen | K9F2G08U0D-5IB0000 |
Gehäuse | FBGA-63 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | Leaded |
Spannungsversorgung | 2.7V-3.6V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 25 NS |
Standard Stückzahl | 960 |
Abmessungen Karton |
Teilenummer | Menge | Datecode | |
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K9F2G08U0D-5IB0 | 0 | Anfrage senden | |
K9F2G08U0D-5IB0000 | 20.000 | Anfrage senden | |
K9F2G08U0D-5IB0000 | 50.000 | Anfrage senden | |
K9F2G08U0D-5IB0000 | 100,000+ | 18+ | Anfrage senden |
K9F2G08U0D-5IB0000 | 100.000 | 18+ | Anfrage senden |
K9F2G08U0D-5IB0000 | 100,000+ | 18+ | Anfrage senden |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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MT29F2G08ABAEAH4-IT:E | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
NAND02GW3B2DZA6E | VFBGA-63 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
NAND02GW3B2DZA6F | VFBGA-63 | 2.7V~3.6V | 30 NS | -40 C~+85 C |
S34ML02G100BHI000 | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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F59L2G81KA-25BIG2N | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
F59L2G81XA-25BIG2B | BGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
IS34ML02G081-BLI | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
IS34ML02G081-BLI-TR | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
IS34ML02G081-BLI/IS34ML02G081- | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
IS34ML02G084-BLI | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
IS34MLI02G084-BLI | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
IS35ML02G081-BLA | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
IS35ML02G081-BLA1 | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |
IS35ML02G081-BLAX | VFBGA-63 | 3.3 V | 25 NS | -40 C~+85 C |