K9K1208Q0C-DIB

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K9K1208Q0C-DIB
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 64MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen K9K1208Q0C-DIB000
K9K1208Q0C-DIB0000
K9K1208Q0C-DIB0T00
K9K1208Q0CDIB0

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 42 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9K1208Q0CDIB0 5.673 Anfrage senden
K9K1208Q0CDIB0 12.500 Anfrage senden
K9K1208Q0CDIB0 1.000 Anfrage senden
K9K1208Q0CDIB0 10.000 Anfrage senden
K9K1208Q0CDIB0 7.680 Anfrage senden
K9K1208Q0C-DIB000 7.680 2005+ Anfrage senden
K9K1208Q0C-DIB000 7.680 05 Anfrage senden
K9K1208Q0C-DIB0T00 1.392 200525 Anfrage senden
K9K1208Q0CDIB0 900 2004 Anfrage senden
K9K1208Q0C-DIB000 315 0534 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F1208Q0C-DIB0 TBGA-63 1.70V~1.95V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208Q0C-DIBO TBGA-63 1.70V~1.95V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208QOB-DIBO TBGA-63 1.70V~1.95V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208Q0C-DIB000 25 TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208Q0C-DIBO TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208Q0C-JIB0/DIB0 TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208QOC-DIB0 TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208QOC-DIB00 TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208QOC-DIBO TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208QOC-DIBO00/SAM TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C