K9K1208QOC-DIBO

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K9K1208QOC-DIBO
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 64MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen K9K1208QOCDIBO00

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 42 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Pre Prog Version Serial
Generation 4th Generation
Classification SLC DDP
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9K1208QOC-DIBO 5.500 Anfrage senden
K9K1208QOC-DIBO 7.675 Anfrage senden
K9K1208QOC-DIBO 7.680 2005+ Anfrage senden
K9K1208QOC-DIBO 7.600 05+ Anfrage senden
K9K1208QOC-DIBO 5.120 2005+ Anfrage senden
K9K1208QOCDIBO00 6.480 Anfrage senden
K9K1208QOCDIBO00 6.480 2005+ Anfrage senden
K9K1208QOCDIBO00 7.680 Anfrage senden
K9K1208QOC-DIBO 20.000 2005+ Anfrage senden
K9K1208QOC-DIBO 10.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F1208Q0C-DIB0 TBGA-63 1.70V~1.95V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208Q0C-DIBO TBGA-63 1.70V~1.95V 42 NS -40 C~+85 C
K9F1208QOB-DIBO TBGA-63 1.70V~1.95V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208Q0C-DIB TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208Q0C-DIB000 TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208Q0C-DIB000 25 TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208Q0C-DIB0000 TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208Q0C-DIB0T00 TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208Q0C-DIBO TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C
K9K1208Q0C-JIB0/DIB0 TBGA-63 1.8 V 42 NS -40 C~+85 C