KM416V410FCSI-L5

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	KM416V410FCSI-L5
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	-40 C~+85 C
Geschwindigkeit	50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
IS41LV16400-50TI	TSOP2(50)	3.3 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E661612D-TP50	TSOP2(50)	3.3 V	50 NS	-40 C~+85 C
KM416V4104CSI-5	TSOP2(50)	3.3 V	50 NS	-40 C~+85 C
KM416V4104CSI-L5	TSOP2(50)	3.3 V	50 NS	-40 C~+85 C