KM416V4104CSI-L5

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Hersteller-Nummer KM416V4104CSI-L5
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
KM416V4104CSI-L5 7.098 9 Anfrage senden
KM416V4104CSI-L5 39.600 10+ Anfrage senden
KM416V4104CSI-L5 4.000 Anfrage senden
KM416V4104CSI-L5 1.920 10+ Anfrage senden
KM416V4104CSI-L5 1.098 07+ Anfrage senden
KM416V4104CSI-L5 1.440 Anfrage senden
KM416V4104CSI-L5 5.054 1999+ Anfrage senden
KM416V4104CSI-L5 1.098 1999+ Anfrage senden
KM416V4104CSI-L5 7.500 Anfrage senden
KM416V4104CSI-L5 1.098 99+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS41LV16400-50TI TSOP2(50) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
K4E661612D-TP50 TSOP2(50) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
KM416V4104CSI-5 TSOP2(50) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C
KM416V410FCSI-L5 TSOP2(50) 3.3 V 50 NS -40 C~+85 C