TC58NVG0S3HBAI6

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Hersteller-Nummer TC58NVG0S3HBAI6
Hersteller KIOXIA
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 128MX8 NAND SLC
Andere Bezeichnungen TC58NVG0S3HBAI6 TRAY

Produktbeschreibung

Gehäuse BGA-67
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 25 NS
Standard Stückzahl 1050
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Mono Stack Single Chip
Nand Type NAND
Cell Level 2 Level( 1 bits/cell )
Page Size 2KB
Design Rule 24nm B-type
Package Size TSOP[mm]: Reserved, LGA[mm]: 40 lands, 13 x 17 x 1.04, BGA[mm]: 60 balls, 8.5 x 13 *1
Package Material Lead-Free: Yes, Halogen-Free: Yes
Channel Single, # of CE 1
Block Size 128KB

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
TC58NVG0S3HBAI6 0 2450+ Anfrage senden
TC58NVG0S3HBAI6 0 Anfrage senden
TC58NVG0S3HBAI6 0 24+ Anfrage senden
TC58NVG0S3HBAI6 0 2450 Anfrage senden
TC58NVG0S3HBAI6 6.760 2024+ Anfrage senden
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TC58NVG0S3HBAI6 5.000 24+25+ Anfrage senden
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TC58NVG0S3HBAI6 4.000 2022+ Anfrage senden
TC58NVG0S3HBAI6 50.400 17/18+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
S34ML01G200GHI003 BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
F59L1G81MA -25BCIG2Y BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
S34ML01G200GFI000 BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
S34ML01G200GHI000 BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58BVG0S3HBAI6 BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58DVG02D5BAI6 BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NVG0S3HBAI6 / CMP: MEM BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NVG0S3HBAI6JDH BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NVG0S3HBAI6Y0J BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NVG0S3HBAI6YCJ BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C
TC58NVG0S8HBAI6 BGA-67 3.3 V 25 NS -40 C~+85 C