K4B2G0846Q-BCK

产品概述

IC Picture

图片仅供参考

制造商IC编号 K4B2G0846Q-BCK
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 256MX8 DDR3
共通IC编号 K4B2G0846Q BCK0
K4B2G0846Q-BCK0
K4B2G0846Q-BCK00
K4B2G0846Q-BCK000
K4B2G0846Q-BCK0000
K4B2G0846Q-BCK0T
K4B2G0846Q-BCK0T00

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 DDR3-1600(11-11-11)
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4B2G0846Q-BCK0 3,840 索取报价
K4B2G0846Q-BCK0 25,600 索取报价
K4B2G0846Q-BCK0 0 DC15+ 索取报价
K4B2G0846Q-BCK0 0 DC14+ 索取报价
K4B2G0846Q-BCK0 0 16 索取报价
K4B2G0846Q-BCK0 22,400 15+ 索取报价
K4B2G0846Q-BCK000 23,040 索取报价
K4B2G0846Q-BCK0 20,000 DC2015+ 索取报价
K4B2G0846Q-BCK0 28,000 索取报价
K4B2G0846Q-BCK0 22,328 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4B2G0846Q-BCKO FBGA-78 1.5 V DDR3-1600(11-11-11) 0 C~+85 C