图片仅供参考
制造商IC编号 | K4B2G0846Q-BCK |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR3 SDRAM |
IC代码 | 256MX8 DDR3 |
共通IC编号 | K4B2G0846Q BCK0 |
K4B2G0846Q-BCK0 | |
K4B2G0846Q-BCK00 | |
K4B2G0846Q-BCK000 | |
K4B2G0846Q-BCK0000 | |
K4B2G0846Q-BCK0T | |
K4B2G0846Q-BCK0T00 |
脚位/封装 | FBGA-78 |
外包装 | |
无铅/环保 | 无铅/环保 |
电压(伏) | 1.5 V |
温度规格 | 0 C~+85 C |
速度 | DDR3-1600(11-11-11) |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 256M |
Bit Organization | x8 |
Density | 2G |
Internal Banks | 8 Banks |
Generation | 17th Generation |
Power | Normal Power |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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K4B2G0846Q-BCKO | FBGA-78 | 1.5 V | DDR3-1600(11-11-11) | 0 C~+85 C |