K4B2G0846Q-HCH9

产品概述

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制造商IC编号 K4B2G0846Q-HCH9
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 256MX8 DDR3

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1333 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x8
Density 2G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4B2G0846D-HCH9000 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-HCH90S3 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-HCH9T FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-HCH9T00 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-HCH9TCV FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-HYH9 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846D-HYH9 IC FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846E-BCH9 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846E-H9 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C
K4B2G0846E-MCH9 FBGA-78 1.5 V 1333 MBPS 0 C~+85 C