K4B4G0846B-HCKO

产品概述

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制造商IC编号 K4B4G0846B-HCKO
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3 SDRAM
IC代码 512MX8 DDR3

产品详情

脚位/封装 FBGA-78
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.5 V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1600 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 3rd Generation
Power Normal Power

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
IS43TR85120ECL-125LBLC BGA-78 1.35V/1.5V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846A-HCK0 FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846B-HCK0 FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846B-HCK0000 FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846B-HCK0TCV FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846C-HCK0 FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846D-BCK0 FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846D-BCK0000 FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846D-BCK00000 FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C
K4B4G0846D-BCK0T00 FBGA-78 1.5 V 1600 MBPS 0 C~+85 C