K4B4G1646E-BYK0/BCMA

产品概述

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制造商IC编号 K4B4G1646E-BYK0/BCMA
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR3L SDRAM
IC代码 256MX16 DDR3L

产品详情

脚位/封装 FBGA-96
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.35V
温度规格 0 C~+85 C
速度 1866 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words 256M
Bit Organization x16
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Low VDD(1.35V)

FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
MT41K256M16TW-107 M ES:P FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-107 M:P FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-107 MICRON FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-107 N FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-107 P FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-107 TI:P FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-107 V:P FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-107: FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-107: P FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
MT41K256M16TW-107:N FBGA-96 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C