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K4E641612B-TI50
产品概述
图片仅供参考
制造商IC编号
K4E641612B-TI50
厂牌
SAMSUNG/三星
IC 类别
DRAM
IC代码
4MX16 EDO
产品详情
脚位/封装
TSOP2(50)
外包装
无铅/环保
含铅
电压(伏)
5.0 V
温度规格
-40 C~+85 C
速度
50 NS
标准包装数量
标准外箱
Number Of Words
4M
Bit Organization
x16
Density
64M
Generation
3rd Generation
Power
Normal Power
FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)
IC 编号
脚位/封装
电压(伏)
速度
温度规格
K4E661612DTP50T
TSOP2(50)
5.0 V
50 NS
-40 C~+85 C
K4E661612E-TI50
TSOP2(50)
5.0 V
50 NS
-40 C~+85 C
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