K4E641612B-TI50

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer	K4E641612B-TI50
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	5.0 V
Betriebstemperatur	-40 C~+85 C
Geschwindigkeit	50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Generation	3rd Generation
Power	Normal Power

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E661612DTP50T	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C
K4E661612E-TI50	TSOP2(50)	5.0 V	50 NS	-40 C~+85 C