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K4E641612B-TI50
產品概述
圖片僅供參考
製造商IC編號
K4E641612B-TI50
廠牌
SAMSUNG/三星
IC 類別
DRAM
IC代碼
4MX16 EDO
產品詳情
脚位/封装
TSOP2(50)
外包裝
無鉛/環保
含鉛
電壓(伏)
5.0 V
溫度規格
-40 C~+85 C
速度
50 NS
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words
4M
Bit Organization
x16
Density
64M
Generation
3rd Generation
Power
Normal Power
FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)
IC 編號
脚位/封装
電壓(伏)
速度
溫度規格
K4E661612DTP50T
TSOP2(50)
5.0 V
50 NS
-40 C~+85 C
K4E661612E-TI50
TSOP2(50)
5.0 V
50 NS
-40 C~+85 C
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