K4E661612D-TL60

产品概述

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制造商IC编号 K4E661612D-TL60
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DRAM
IC代码 4MX16 EDO
共通IC编号 K4E661612D-TL60000
K4E661612D-TL60T
K4E661612D-TL60T00

产品详情

脚位/封装 TSOP2(50)
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏) 5.0 V
温度规格 -40 C~+85 C
速度 60 NS
标准包装数量
标准外箱
Bit Organization x16
Power Low Power
Generation 5th Generation

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
K4E661612D-TL60 4,000 索取报价
K4E661612D-TL60 4,562 2001+ 索取报价
K4E661612D-TL60 4,562 01+ 索取报价
K4E661612D-TL60 12,000 索取报价
K4E661612D-TL60 10,000 2003+ 索取报价
K4E661612D-TL60 20,000 2003+ 索取报价
K4E661612D-TL60 5,421 03+ 索取报价
K4E661612D-TL60 5,000 2002+ 索取报价
K4E661612D-TL60 2,000 索取报价
K4E661612D-TL60 2,024 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4E641612C-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612DTCI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C