K4E661612D-TL60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E661612D-TL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E661612D-TL60000
K4E661612D-TL60T
K4E661612D-TL60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E661612D-TL60 4.000 Anfrage senden
K4E661612D-TL60 4.562 2001+ Anfrage senden
K4E661612D-TL60 4.562 01+ Anfrage senden
K4E661612D-TL60 12.000 Anfrage senden
K4E661612D-TL60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E661612D-TL60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E661612D-TL60 5.421 03+ Anfrage senden
K4E661612D-TL60 5.000 2002+ Anfrage senden
K4E661612D-TL60 2.000 Anfrage senden
K4E661612D-TL60 2.024 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612C-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612DTCI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C