K4F6E3S4HM-SGCL
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | K4F6E3S4HM-SGCL |
| 厂牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 类别 | LPDDR4 MOBILE |
| IC代码 | 512MX32 LPDDR4 |
| 共通IC编号 | K4F6E3S4HM-SGCL000 |
| K4F6E3S4HM-SGCLT00 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 含铅 |
| 电压(伏) | 1.1 V |
| 温度规格 | -25 C~+85 C |
| 速度 | 4266 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4F6E3S4HB-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HB-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HB-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-AGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-MGCJ0CL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53D512M32D2DS-053WT:DD9 | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C(WIR |
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D1NP-046 WT:B TR | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E512M32D1ZW-046 AWT:B | TFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |