K4A4G1646F-BCTD
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | K4A4G1646F-BCTD |
| 廠牌 | SAMSUNG/三星 |
| IC 類別 | DDR4 SDRAM |
| IC代碼 | 256MX16 DDR4 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-96 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.2 V |
| 溫度規格 | 0 C~+85 C |
| 速度 | 2666 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Number Of Words | 256M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 4Gb |
| Internal Banks | 8 Banks |
| Power | Normal Power |
| Generation | 7th Generation |
供應鏈有貨
| IC 編號 | 數量 | 生產年份 | |
|---|---|---|---|
| K4A4G1646F-BCTD | 0 | 索取報價 |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| H5AN4G6NAFR-VJC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN4G6NAFR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN4G6NBJR-VKC | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN4G6NBJR-VKCR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN4G6NBJR-VKIR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| H5AN4G6NBJR-VKKR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43QR16256B-075UB | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43QR16256B-075UBL | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| IS43QR16256B-075UBL-TR | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |
| K4A4G165WC-BCTD | FBGA-96 | 1.2 V | 2666 MBPS | 0 C~+85 C |