K4H511638F-HIB3

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4H511638F-HIB3
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR1 SDRAM
IC代碼 32MX16 DDR1
共通IC編號 K4H511638F-HIB3000

產品詳情

脚位/封装 FBGA
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 2.5 V
溫度規格 -40 C~+85 C
速度 166 MHZ
標準包裝數量
標準外箱
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 7th Generation
Power Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4H511638F-HIB3000 4,000 索取報價
K4H511638F-HIB3 26,775 索取報價
K4H511638F-HIB3000 6,400 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
H5DU5162EFR-J3I FBGA 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16320F-6BI FBGA 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638F-HIB3T000 FBGA 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638G-HIB3 FBGA 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638G-HIB3TCV FBGA 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638J-BCIB3 FBGA 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638J-BIB3 FBGA 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
K4H511638J-BPB3 FBGA 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C