K4T1G164QQ-HCE6

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 K4T1G164QQ-HCE6
廠牌 SAMSUNG/三星
IC 類別 DDR2 SDRAM
IC代碼 64MX16 DDR2
共通IC編號 K4T1G164QQ-HCE60
K4T1G164QQ-HCE600
K4T1G164QQ-HCE6000
K4T1G164QQ-HCE60JR
K4T1G164QQ-HCE6T
K4T1G164QQ-HCE6T00
K4T1G164QQ-HCE6T000

產品詳情

脚位/封装 FBGA-84
外包裝 TRAY
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.8 V
溫度規格 0 C~+85 C
速度 667 MBPS
標準包裝數量 1280
標準外箱
Number Of Words 64M
Bit Organization x16
Density 1G
Internal Banks 8 Banks
Generation 17th Generation
Power Normal Power

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
K4T1G164QQ-HCE6 446 10+ 索取報價
K4T1G164QQ-HCE6 4,000 索取報價
K4T1G164QQ-HCE6 1,016 08+ 索取報價
K4T1G164QQ-HCE6 7,840 0922+10+ 索取報價
K4T1G164QQ-HCE6 966 10+ 索取報價
K4T1G164QQ-HCE6 8 索取報價
K4T1G164QQ-HCE6 248 索取報價
K4T1G164QQ-HCE6 12,500 索取報價
K4T1G164QQ-HCE6 11,350 16+ 索取報價
K4T1G164QQ-HCE6 8,960 2010+ 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
HYB18TC1G160CF-3S FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR16640A-3DBL FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR16640B-3D FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR16640B-3DB FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR16640B-3DBL FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR16640B-3DBLT FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR16640BL-3DBL FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR16640C-3DB FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
IS43DR16640C-3DBL FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
K4T1G1640AZCE6 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C