H9HCNNN8GUALHR-NEE

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer H9HCNNN8GUALHR-NEE
Hersteller SK HYNIX
Produktkategorie LPDDR4 SDRAM
IC-Code 256MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 4266 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Generation 2nd
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, SDP
Nvm Speed none

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
H9HCNNN8GUALHR-NEE 4.483 Anfrage senden
H9HCNNN8GUALHR-NEE 4.483 2020+ Anfrage senden
H9HCNNN8GUALHR-NEE 6.238 Anfrage senden
H9HCNNN8GUALHR-NEE 615 2020+ Anfrage senden
H9HCNNN8GUALHR-NEE 300 19+ Anfrage senden
H9HCNNN8GUALHR-NEE 5.000 - Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F8E164HA-MGCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E164HA-MGCL000 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E164HA-MGCLT00 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGC FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCL SAMSUNG FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCL000 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCL0JP FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCLT00 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
MT53E256M32D1KS-046 WT:L VFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C