H9HCNNN8GUALHR-NEE

產品概述

IC Picture

圖片僅供參考

製造商IC編號 H9HCNNN8GUALHR-NEE
廠牌 SK HYNIX/海力士
IC 類別 LPDDR4 SDRAM
IC代碼 256MX32 LPDDR4

產品詳情

脚位/封装 FBGA-200
外包裝
無鉛/環保 無鉛/環保
電壓(伏) 1.1 V
溫度規格 -25 C~+85 C
速度 4266 MBPS
標準包裝數量
標準外箱
Generation 2nd
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, SDP
Nvm Speed none

供應鏈有貨

IC 編號 數量 生產年份
H9HCNNN8GUALHR-NEE 615 2020+ 索取報價
H9HCNNN8GUALHR-NEE 300 19+ 索取報價
H9HCNNN8GUALHR-NEE 5,000 - 索取報價

FFFE/互通料號 (形式,腳位和功能對等)

IC 編號 脚位/封装 電壓(伏) 速度 溫度規格
K4F8E164HA-MGCL000 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-GUCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-GUCLT1V FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCL000 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCLT00 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U8E3S4AD-MGCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U8E3S4AD-MGCL000 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C