H9HCNNN8GUALHR-NEE
產品概述
圖片僅供參考
| 製造商IC編號 | H9HCNNN8GUALHR-NEE |
| 廠牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 類別 | LPDDR4 SDRAM |
| IC代碼 | 256MX32 LPDDR4 |
產品詳情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包裝 | |
| 無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
| 電壓(伏) | 1.1 V |
| 溫度規格 | -25 C~+85 C |
| 速度 | 4266 MBPS |
| 標準包裝數量 | |
| 標準外箱 | |
| Package Material | Lead & Halogen Free |
| Hynix Memory | H |
| Product Mode | LPDDR4 Only |
| Generation | 2nd |
| Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
| Nvm Option | None |
| Dram Density | 8Gb, SDP |
| Nvm Speed | none |
FFFE/互通料號 (形式，腳位和功能對等)
| IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
|---|---|---|---|---|
| K4F8E164HA-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E164HA-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E164HA-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGC | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGCL SAMSUNG | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGCL0JP | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E256M32D1KS-046 WT:L | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |