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製造商IC編號 | H9HCNNN8GUALHR-NEE |
廠牌 | SK HYNIX/海力士 |
IC 類別 | LPDDR4 SDRAM |
IC代碼 | 256MX32 LPDDR4 |
脚位/封装 | FBGA-200 |
外包裝 | |
無鉛/環保 | 無鉛/環保 |
電壓(伏) | 1.1 V |
溫度規格 | -25 C~+85 C |
速度 | 4266 MBPS |
標準包裝數量 | |
標準外箱 | |
Generation | 2nd |
Package Material | Lead & Halogen Free |
Hynix Memory | H |
Product Mode | LPDDR4 Only |
Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
Nvm Option | None |
Dram Density | 8Gb, SDP |
Nvm Speed | none |
IC 編號 | 脚位/封装 | 電壓(伏) | 速度 | 溫度規格 |
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K4F8E164HA-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F8E3S4HD-GUCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F8E3S4HD-GUCLT1V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F8E3S4HD-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F8E3S4HD-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4F8E3S4HD-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U8E3S4AD-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
K4U8E3S4AD-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |