H9HCNNN8GUALHR-NEE
产品概述
图片仅供参考
| 制造商IC编号 | H9HCNNN8GUALHR-NEE |
| 厂牌 | SK HYNIX/海力士 |
| IC 类别 | LPDDR4 SDRAM |
| IC代码 | 256MX32 LPDDR4 |
产品详情
| 脚位/封装 | FBGA-200 |
| 外包装 | |
| 无铅/环保 | 无铅/环保 |
| 电压(伏) | 1.1 V |
| 温度规格 | -25 C~+85 C |
| 速度 | 4266 MBPS |
| 标准包装数量 | |
| 标准外箱 | |
| Package Material | Lead & Halogen Free |
| Hynix Memory | H |
| Product Mode | LPDDR4 Only |
| Generation | 2nd |
| Dram Voltage | 1.1V/1.1V,LPDDR4 |
| Nvm Option | None |
| Dram Density | 8Gb, SDP |
| Nvm Speed | none |
FFFE/互通料号 (形式，腳位和功能对等)
| IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
|---|---|---|---|---|
| K4F8E164HA-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E164HA-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E164HA-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGC | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGCL SAMSUNG | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGCL0JP | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F8E3S4HD-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| MT53E256M32D1KS-046 WT:L | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |