H9HCNNN8GUALHR-NEE

产品概述

IC Picture

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制造商IC编号 H9HCNNN8GUALHR-NEE
厂牌 SK HYNIX/海力士
IC 类别 LPDDR4 SDRAM
IC代码 256MX32 LPDDR4

产品详情

脚位/封装 FBGA-200
外包装
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.1 V
温度规格 -25 C~+85 C
速度 4266 MBPS
标准包装数量
标准外箱
Generation 2nd
Package Material Lead & Halogen Free
Hynix Memory H
Product Mode LPDDR4 Only
Dram Voltage 1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option None
Dram Density 8Gb, SDP
Nvm Speed none

供应链有货

IC 编号 数量 生产年份
H9HCNNN8GUALHR-NEE 615 2020+ 索取报价
H9HCNNN8GUALHR-NEE 300 19+ 索取报价
H9HCNNN8GUALHR-NEE 5,000 - 索取报价

FFFE/互通料号 (形式,腳位和功能对等)

IC 编号 脚位/封装 电压(伏) 速度 温度规格
K4F8E164HA-MGCL000 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-GUCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-GUCLT1V FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCL000 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4F8E3S4HD-MGCLT00 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U8E3S4AD-MGCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C
K4U8E3S4AD-MGCL000 FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -25 C~+85 C