K4A8G165WC-BIWE

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4A8G165WC-BIWE
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR4 SDRAM
IC-Code 512MX16 DDR4
Andere Bezeichnungen K4A8G165WC-BIWE0CV
K4A8G165WC-BIWETCT
K4A8G165WC-BIWETCV

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-96
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.2 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 2666 MBPS
Standard Stückzahl 1120
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x16
Density 8Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4A8G165WC-BIWE 17.920 25+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BIWE 4.000 2025+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BIWE 4.000 25+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BIWE 11.200 DC24+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BIWE 0 25+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BIWE 0 Anfrage senden
K4A8G165WC-BIWE 10.000 2024 Anfrage senden
K4A8G165WC-BIWE 10.080 23 Anfrage senden
K4A8G165WC-BIWE 1.120 22+ Anfrage senden
K4A8G165WC-BIWE 10.000 24+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
AS4C512M16D4-75BIN FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
AS4C512M16D4-75BINTR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
IS43QR16512A-075VBLA1 FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
IS43QR16512A-075VBLI FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
IS43QR16512A-075VBLI-TR FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
IS43QR16512B-075VBLI FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WB-BITD FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WB-BITDTCV FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WC-BITD FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C
K4A8G165WC-BITD U FBGA-96 1.2 V 2666 MBPS -40 C~+85 C