K4B4G0846E-BYMA

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4B4G0846E-BYMA
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR3L SDRAM
IC-Code 512MX8 DDR3L
Andere Bezeichnungen K4B4G0846E- BYMATCV
K4B4G0846E-BYMA0
K4B4G0846E-BYMA000
K4B4G0846E-BYMA0CV
K4B4G0846E-BYMAT00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-78
Verpackung TRAY
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.35V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 1866 MBPS
Standard Stückzahl 1280
Abmessungen Karton
Number Of Words 512M
Bit Organization x8
Density 4G
Internal Banks 8 Banks
Generation 6th Generation
Power Low VDD(1.35V)

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4B4G0846E-BYMA 10.240 Anfrage senden
K4B4G0846E-BYMA000 51.200 23+ Anfrage senden
K4B4G0846E-BYMA000 100.000 23+ Anfrage senden
K4B4G0846E-BYMA 92 22+ Anfrage senden
K4B4G0846E-BYMA000 3.360 23+ Anfrage senden
K4B4G0846E-BYMA000 51.301 23+ Anfrage senden
K4B4G0846E-BYMA 51.200 Anfrage senden
K4B4G0846E-BYMA 100,000+ DC23+ Anfrage senden
K4B4G0846E-BYMA 20.480 Anfrage senden
K4B4G0846E-BYMA 1.280 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
H5TC4G83AFR-RDA FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83AFR-RDA 1.35V FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83AFR-RDC FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83BFR-RDA FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83BFR-RDA 1.35V FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83BFR-RDC FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83CFR-RDA FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83CFR-RDAR FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83CFR-RDC FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C
H5TC4G83DFR-RDA FBGA-78 1.35V 1866 MBPS 0 C~+85 C