K4E661612E-TC60

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Hersteller-Nummer K4E661612E-TC60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E661612E-TC60 12.000 Anfrage senden
K4E661612E-TC60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E661612E-TC60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E661612E-TC60 5.413 03+ Anfrage senden
K4E661612E-TC60 5.000 2002+ Anfrage senden
K4E661612E-TC60 60.000 Anfrage senden
K4E661612E-TC60 60.720 Anfrage senden
K4E661612E-TC60 63.000 2003+ Anfrage senden
K4E661612E-TC60 66.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612C-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612C-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CD-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612CE-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TI60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612D-TP60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C
K4E641612DTCI60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS -40 C~+85 C