K4H561638FDGCB3
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4H561638FDGCB3 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR1 SDRAM |
| IC-Code | 16MX16 DDR1 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 2.5 V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 166 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
| Generation | 7th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4H561638FDGCB3 | 2.000 | 2005+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| EDD25163HBH-6ELS-F | FBGA | 2.5 V | 166 MHZ | -25 C~+85 C |