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制造商IC编号 | K4H561638FDGCB3 |
厂牌 | SAMSUNG/三星 |
IC 类别 | DDR1 SDRAM |
IC代码 | 16MX16 DDR1 |
脚位/封装 | FBGA |
外包装 | |
无铅/环保 | 含铅 |
电压(伏) | 2.5 V |
温度规格 | -25 C~+85 C |
速度 | 166 MHZ |
标准包装数量 | |
标准外箱 | |
Number Of Words | 16M |
Bit Organization | x16 |
Density | 256M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 7th Generation |
Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
IC 编号 | 数量 | 生产年份 | |
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K4H561638FDGCB3 | 2,000 | 2005+ | 索取报价 |
IC 编号 | 脚位/封装 | 电压(伏) | 速度 | 温度规格 |
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EDD25163HBH-6ELS-F | FBGA | 2.5 V | 166 MHZ | -25 C~+85 C |