K4S641632C-TI75

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Hersteller-Nummer K4S641632C-TI75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Generation 4th Generation
Power Normal Power

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S641632H-UP75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632H-UP750CV TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632H-UP75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632HTI-75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632HTI75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632HUI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632HUI750 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632HUI750CV TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632K-TI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S641632K-UI7 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C