K4T51163QJ-BCE6

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T51163QJ-BCE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T51163QJ-BCE6000
K4T51163QJ-BCE6000:
K4T51163QJ-BCE6T
K4T51163QJ-BCE6T00
K4T51163QJ-BCE6TCV
K4T51163QJBCE600

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 11th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QJ-BCE6T00 20.829 Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6T00 19.629 Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6T00 18.021 Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6 4.000 Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6T00 22.417 Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6T00 20.051 Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6000 18.266 Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6 136 14+ Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6 2.500 14+ Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6 10.000 16+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY5PS121621LF-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621LFP-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T5121600BF-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160AF-3 TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160AF-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160B2C3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160B2F-3 TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160B2F-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160B2FL-3S TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HYB18T512160BC-3 TFBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C