K4T51163QJ-BCE6

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4T51163QJ-BCE6
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR2 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR2
Andere Bezeichnungen K4T51163QJ-BCE6000
K4T51163QJ-BCE6000:
K4T51163QJ-BCE6T
K4T51163QJ-BCE6T00
K4T51163QJ-BCE6TCV
K4T51163QJBCE600

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-84
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 667 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 11th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4T51163QJ-BCE6 1.200 Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6 700 Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6 3 Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6000 1.898 12+ Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6 1.752 2012+ Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6T00 4.000 2013+ Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6000 2.560 14+ Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6000 2.560 12+ Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6T00 4.000 13+ Anfrage senden
K4T51163QJ-BCE6 13.440 13+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EM68B16CWPA-3H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWPA-3H 512MB DDR2 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
EM68B16CWQC-3H FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-Y4 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AF-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-Y4 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621AFP-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621BEP-Y5 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621BFP-Y4 FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C
HY5PS121621BFP-Y5-C FBGA-84 1.8 V 667 MBPS 0 C~+85 C