K4U6E3S4AA-MGCR
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4U6E3S4AA-MGCR |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | LPDDR4X SDRAM |
| IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-200 |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.1 V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 4266 MBPS |
| Standard Stückzahl | 1280 |
| Abmessungen Karton |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4U6E3S4AA-MGCR | 2.560 | 23+ | Anfrage senden |
| K4U6E3S4AA-MGCR | 10.240 | WITHIN 2 Y | Anfrage senden |
| K4U6E3S4AA-MGCR | 10.000 | Anfrage senden | |
| K4U6E3S4AA-MGCR | 2.000 | 21+ | Anfrage senden |
| K4U6E3S4AA-MGCR | 10.240 | 23+ | Anfrage senden |
| K4U6E3S4AA-MGCR | 12.800 | 23+ | Anfrage senden |
| K4U6E3S4AA-MGCR | 76 | Anfrage senden | |
| K4U6E3S4AA-MGCR | 20.000 | 21+ | Anfrage senden |
| K4U6E3S4AA-MGCR | 20.000 | 20+ | Anfrage senden |
| K4U6E3S4AA-MGCR | 20.000 | 22+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4F6E3S4HB-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HB-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HB-MGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-AGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-MGCJ0CL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4F6E3S4HM-SGCLT00 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AA-MGCJ | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AA-MGCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AA-MGCL ARE AVL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |
| K4U6E3S4AA-MGCL000 | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -25 C~+85 C |