K9F5608QOC-DIBO00/SAM

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K9F5608QOC-DIBO00/SAM
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Generation 4th Generation
Pre Prog Version Serial
Classification SLC Normal
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F5608QOC-DIBO00/SAM 7.040 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F56089QOC-DIB00 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0B-DIB0 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0000 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0T00 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBO TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBOT00 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBT00 TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOB-DIBO TBGA-63 1.8 V 50 NS -40 C~+85 C