K9F5608QOC-DIBO00/SAM

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K9F5608QOC-DIBO00/SAM
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 1.70V~1.95V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Pre Prog Version Serial
Generation 4th Generation
Classification SLC Normal
Cust Bad Block Include Bad Block

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K9F5608QOC-DIBO00/SAM 7.040 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F56089QOC-DIB00 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0B-DIB0 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0000 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIB0T00 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBO TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBOT00 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608Q0C-DIBT00 TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608QOB-DIBO TBGA-63 1.70V~1.95V 50 NS -40 C~+85 C