K9F5608UOCDIBO256M

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Hersteller-Nummer K9F5608UOCDIBO256M
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie FLASH-NAND
IC-Code 32MX8 NAND SLC

Produktbeschreibung

Gehäuse TBGA-63
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.7V~3.6V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x8
Density 256M
Pre Prog Version Serial
Generation 4th Generation
Classification SLC Normal
Cust Bad Block Include Bad Block

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K9F56080CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0C-DIB0000 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608D0CDIB0 TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608DOCDIBO TBGA-63 2.4V~2.9V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIB TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIB0000 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0C-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIB0 TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608U0CDIR TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C
K9F5608UOB-DIBO TBGA-63 2.7V~3.6V 50 NS -40 C~+85 C